发明名称 |
一种芯片结构及其制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种芯片结构及其制作方法,该芯片结构包括:衬底;形成在所述衬底中的有源区,所述有源区内包括所述芯片的逻辑电路;形成在所述衬底中的终端区,所述终端区包括:主结,所述主结环绕所述有源区;多个场限环,所述多个场限环依次地同心环绕所述主结;和多个沟槽,所述沟槽的内壁形成有绝缘层,所述沟槽内的绝缘层上形成有导电层,所述沟槽与所述场限环之间具有预设角度。通过在终端区设置具有导电层的沟槽,达到提高芯片终端耐压能力的目的。根据本发明实施例的芯片结构可以有效减小终端宽度,降低芯片面积和成本,并且显著增强器件的稳定性。 |
申请公布号 |
CN103515416B |
申请公布日期 |
2016.11.23 |
申请号 |
CN201210213348.X |
申请日期 |
2012.06.26 |
申请人 |
比亚迪股份有限公司 |
发明人 |
刘鹏飞;吴海平 |
分类号 |
H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 |
代理人 |
张大威 |
主权项 |
一种芯片结构,其特征在于,包括:衬底;形成在所述衬底中的有源区,所述有源区内包括所述芯片的逻辑电路;形成在所述衬底中的终端区,所述终端区包括:主结,所述主结环绕所述有源区;多个场限环,所述多个场限环依次地同心环绕所述主结;和多个沟槽,所述沟槽的内壁形成有绝缘层,所述沟槽内的绝缘层上形成有导电层,每个所述沟槽横越所述场限环,所述沟槽与所述场限环之间具有预设角度,且设置于所述主结外围。 |
地址 |
518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号 |