一种光刻干湿法混合去胶返工方法

摘要

本发明公开了一种光刻干湿法混合去胶返工方法，它涉及半导体制造技术领域，它包含以下步骤：(1)提供PLC晶园；(2)通过圆形模具同时装载数个PLC晶园；(3)对PLC晶园表面进行预加热；(4)对PLC晶园光刻胶表面的硬壳进行软化；(5)向腔室内冲O₂、H₂和N₂的混合气体；(6)、用1∶5的硫酸和双氧水PLC晶园进行清洗；(7)、将步骤(5)清洗后的PLC晶园用去离子水清洗；(8)、用N₂将PLC晶园吹干。它结构新颖，可以有效去除光刻胶，模具上可以同时放置多个PLC晶园提高效率。

主权项

一种光刻干湿法混合去胶返工方法，其特征在于：它包含以下步骤：(1)、提供一PLC晶园，所述PLC晶园包括表面的金属层，所述金属层表面设有光刻胶；(2)、通过方形静电卡盘同时支撑数个PLC晶园，方形静电卡盘上表面设置有数个隔热支撑柱，PLC晶园通过数个隔热支撑柱与方形静电卡盘接触；(3)、对PLC晶园表面进行预加热；(4)、对PLC晶园光刻胶表面的硬壳进行软化；(5)、向腔室内冲O₂、H₂和N₂的混合气体，腔室内的温度控制在150‑190℃对PLC晶园表面干法去胶；(6)、用1∶5的硫酸和双氧水PLC晶园进行清洗；(7)、将步骤(5)清洗后的PLC晶园用去离子水清洗；(8)、用N₂将PLC晶园吹干。