一种一维硫化物半导体微晶的制备方法

摘要

本发明提供了一种一维硫化物半导体微晶的制备方法，先将反应物前驱体含硫化合物、氧化铜或可溶性铜盐、强碱、去离子水加入到反应釜中，所述强碱选自氢氧化钠、氢氧化钾或氢氧化铯中任意一种；在室温下搅拌至反应物溶解，然后将反应釜密封放入到180‑240℃的真空烘箱中加热反应1‑5天，最后离心、干燥即得ACu₇S₄半导体微晶材料；所述的ACu₇S₄半导体微晶光电材料用化学式为ACu₇S₄，其中，A选自Na，K，Cs中的一种。本发明的方法采用的原料来源广泛，使用过程中对环境无污染，制备工艺简单、重复性好、制备的产物化学性质稳定。

主权项

一种一维硫化物半导体微晶的制备方法，其特征在于包括如下步骤：1）将反应物前驱体含硫化合物、氧化铜或可溶性铜盐、强碱、去离子水加入到反应釜中，所述强碱选自氢氧化钠、氢氧化钾或氢氧化铯中任意一种；含硫化合物、氧化铜或可溶性铜盐、强碱、去离子水的物料比为4‑30mmol：2‑20mmol：5‑35g：10‑30mL；2）在室温下搅拌5‑30min至反应物溶解，然后将反应釜密封放入到180‑240℃的真空烘箱中加热反应1‑5天，最后离心、干燥即得ACu₇S₄半导体微晶材料；所述的ACu₇S₄半导体微晶光电材料的化学式为ACu₇S₄，其中，A选自Na，K，Cs中的一种。