发明名称 用于提高光学性能和隔离的堆叠栅格设计
摘要 提供了一种背照式(BSI)图像传感器,包括具有平坦的下表面的介电栅格开口。像素传感器布置在半导体衬底内。金属栅格布置在像素传感器上方并且限定金属栅格开口的侧壁。介电栅格布置在金属栅格上方并且限定介电栅格开口的侧壁。覆盖层布置在金属栅格上方,并且限定介电栅格开口的平坦的下表面。本发明实施例涉及用于提高光学性能和隔离的堆叠栅格设计。
申请公布号 CN106158891A 申请公布日期 2016.11.23
申请号 CN201510765521.0 申请日期 2015.11.11
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 郑允玮;曾鸿辉;王昭雄;周俊豪;蔡宗翰;李国政;许慈轩;许永隆
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人 章社杲;李伟
主权项 一种背照式(BSI)图像传感器,包括:像素传感器,布置在半导体衬底内;金属栅格部分,布置在所述像素传感器上方,并且所述金属栅格部分中具有金属栅格开口,其中,所述金属栅格部分具有金属栅格高度;以及介电栅格部分,布置在所述金属栅格部分上方,并且所述介电栅格部分中具有介电栅格开口,其中,所述介电栅格部分具有介电栅格高度;其中,所述介电栅格高度与所述金属栅格高度的比率介于约1.0至约8.0之间。
地址 中国台湾新竹