| 发明名称 | 结终端延伸结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种结终端延伸结构及其制作方法，包括：第一导电类型的集电区；位于所述集电区上的第二导电类型的漂移区，所述漂移区内具有第一导电类型的主结区、与所述主结区相连通的第一导电类型的延伸区、第二导电类型的截止环，所述延伸区与所述截止环不连通；所述延伸区是至少具有两个沟槽的连续分布区域，且所述沟槽的体积随距离所述主结区距离的增大而增大，用以实现，分压区域面积减小，节省了芯片面积，在相同面积的硅晶片上可以制作的器件就增多，缩减了芯片成本。 | ||
| 申请公布号 | CN106158938A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201510166665.4 | 申请日期 | 2015.04.09 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 李理;马万里;赵圣哲 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种结终端延伸结构，其特征在于，包括：第一导电类型的集电区；位于所述集电区上的第二导电类型的漂移区，所述漂移区内具有第一导电类型的主结区、与所述主结区相连通的第一导电类型的延伸区、第二导电类型的截止环，所述延伸区与所述截止环不连通；所述延伸区是至少具有两个沟槽的连续分布区域，且所述沟槽的体积随距离所述主结区距离的增大而增大。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦5层 | ||