| 发明名称 | 改进电阻式随机存取存储器（RRAM）的保持性能的高k方案 | ||
| 摘要 | 本发明提供了电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的集成电路或半导体结构。RRAM单元包括底电极和布置在底电极上方的具有可变电阻的数据存储区。此外，RRAM单元还包括布置在数据存储区上方的扩散阻挡层、布置在扩散阻挡层上方的离子库区以及布置在离子库区上方的顶电极。本发明也提供了用于制造RRAM单元的集成电路或半导体结构的方法。本发明还涉及改进电阻式随机存取存储器(RRAM)的保持性能的高k方案。 | ||
| 申请公布号 | CN106158899A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201510148819.7 | 申请日期 | 2015.03.31 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 金海光;林杏莲;梁晋玮;蔡正原;蔡嘉雄 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的集成电路，所述集成电路包括：底电极；数据存储区，布置在所述底电极上方并且具有可变电阻；扩散阻挡层，布置在所述数据存储区上方；离子库区，布置在所述扩散阻挡层上方；以及顶电极，布置在所述离子库区上方。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||