碳化硅静电感应晶体管以及用于制作碳化硅静电感应晶体管的工艺

摘要

本公开涉及碳化硅静电感应晶体管以及用于制作碳化硅静电感应晶体管的工艺。其中一种静电感应晶体管被形成在掺杂有第一导电类型的碳化硅衬底上。在碳化硅衬底的顶表面中的第一凹陷区域由原位掺杂有第二导电类型的外延生长栅极区域填充。原位掺杂有第一导电类型的外延生长沟道区域被定位在邻近的外延沟道区域之间。原位掺杂有第一导电类型的外延生长源极区域被定位在外延沟道区域上。碳化硅衬底的底表面包括与沟道区域纵向对准并且被硅化以支持形成漏极接触的第二凹陷区域。源极区域的顶表面被硅化以支持形成源极接触。栅极引线被外延生长并且电耦合到栅极区域，其中栅极引线被硅化以支持形成栅极接触。

主权项

一种静电感应晶体管SIT，包括：碳化硅衬底，掺杂有第一导电类型并且包括在所述碳化硅衬底的顶表面中的多个第一凹陷区域；多个外延栅极区域，在所述第一凹陷区域内并且原位掺杂有第二导电类型；多个外延沟道区域，定位在邻近的外延栅极区域之间并且原位掺杂有所述第一导电类型；以及多个外延源极区域，在所述多个外延沟道区域上并且原位掺杂有所述第一导电类型。