N沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种N沟碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的第二P型欧姆接触电极、P型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC漂移层和N型SiC电流增强层，N型SiC电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，台阶的顶端设置有N型SiC欧姆接触层，N型SiC欧姆接触层的上部设置有N型欧姆接触电极，沟槽内设置有P型SiC欧姆接触区，P型SiC欧姆接触区与台阶侧面和沟槽的底部接触，位于沟槽底部的P型SiC欧姆接触区的上部设置有第一P型欧姆接触电极，第二P型欧姆接触电极、N型欧姆接触电极和第一P型欧姆接触电极均包括依次沉积的Ni层和Pt层。

主权项

一种N沟碳化硅静电感应晶闸管，其特征在于，包括自下而上依次设置的第二P型欧姆接触电极(9)、P型SiC衬底(1)、N型SiC缓冲层(2)、N型SiC漂移层(3)和N型SiC电流增强层(4)，所述N型SiC电流增强层(4)上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述台阶的顶端设置有N型SiC欧姆接触层(5)，N型SiC欧姆接触层(5)的上部设置有N型欧姆接触电极(7)，N型欧姆接触电极(7)的形状与N型SiC欧姆接触层(5)相同，所述沟槽内设置有P型SiC欧姆接触区(6)，P型SiC欧姆接触区(6)与所述台阶侧面、沟槽的底部和N型SiC欧姆接触层(5)均接触，位于沟槽底部的P型SiC欧姆接触区(6)的上部设置有第一P型欧姆接触电极(8)，所述第二P型欧姆接触电极(9)、N型欧姆接触电极(7)和第一P型欧姆接触电极(8)均包括依次沉积的Ni层和Pt层。