一种减少Sic晶体生长中碳包裹物产生的热场结构

摘要

本实用新型涉及一种减少Sic晶体生长中碳包裹物产生的热场结构，包括坩埚、石墨环、发热体、顶保温层、侧保温层和底保温层；所述的发热体位于坩埚外周、包围住坩埚的侧面和底面；所述的顶保温层位于坩埚上方，所述的石墨环设置在所述坩埚的Sic原料重洁净区的Sic原料上方，所述石墨环覆盖Sic原料最外侧环状区域；所述的侧保温层和底保温层分别位于发热体外围和底部。本实用新型的有益效果是：稳定生长低碳包裹物的Sic单晶，阻挡靠近坩埚边缘碳化硅粉料升华严重产生的碳随着生长室内保护气体与生长组分气体由于温度梯度，沉积在晶体生长面，从而形成碳包裹物，减少碳包裹物的产生。

主权项

一种减少Sic晶体生长中碳包裹物产生的热场结构，其特征在于：包括坩埚、石墨环、发热体、顶保温层、侧保温层和底保温层；所述的发热体位于坩埚外周、包围住坩埚的侧面和底面；所述的顶保温层位于坩埚上方，所述的石墨环设置在所述坩埚的Sic原料重洁净区的Sic原料上方，所述石墨环覆盖Sic原料最外侧环状区域；所述的侧保温层和底保温层分别位于发热体外围和底部。