一种带有七层对通隔离结构的可控硅芯片

摘要

本实用新型公开了一种带有七层对通隔离结构的可控硅芯片，包括阳极区P1、N­型长基区、短基区P2、N­⁺型阴极区和正面的氧化膜、正面的门极金属电极、正面的阴极金属电极、背面的阳极金属电极、环形钝化沟槽及七层对通隔离结构的隔离环，七层对通隔离结构的隔离环是由从上到下的硼杂质区、硼铝混合杂质区、铝杂质区、铝‑铝交叠杂质区、铝杂质区、硼铝混合杂质区、硼杂质区构成，七层对通隔离结构的隔离环沿垂直方向设于正面的氧化膜与背面的阳极金属电极之间并且环绕于阳极区P1、N­型长基区、短基区P2四周，本实用新型扩散时间短、生产能耗低、效率高，硅片完整率高，隔离区表面的横向扩散少，隔离区宽度小，节约硅片面积。

主权项

一种带有七层对通隔离结构的可控硅芯片，包括阳极区P1、N­型长基区、短基区P2 、N­⁺型阴极区和正面的氧化膜、正面的门极金属电极、正面的阴极金属电极、背面的阳极金属电极、环形钝化沟槽及七层对通隔离结构的隔离环，其特征在于：所述七层对通隔离结构的隔离环是由从上到下的硼杂质区、硼铝混合杂质区、铝杂质区、铝‑铝交叠杂质区、铝杂质区、硼铝混合杂质区、硼杂质区构成，所述七层对通隔离结构的隔离环沿垂直方向设于正面的氧化膜与背面的阳极金属电极之间并且环绕于阳极区P1、N­型长基区、短基区P2 四周。