发明名称 |
一种低频信号放大电路 |
摘要 |
本实用新型公开了一种低频信号放大电路,包括电容C1、二极管D2、场效应晶体管V1和晶体管V2,所述电容C1的一端连接信号输入端IN,电容C1的另一端连接电阻R1和电容C2,电容C2的另一端连接电阻R1的另一端、电阻R2、二极管D1的阴极和二极管D2的阳极,二极管D2的阴极连接电阻R3和场效应晶体管V1漏极。本实用新型低频信号放大电路结构简单、元器件少,电路摒弃了复杂的芯片控制结构,仅利用三极管和场效应晶体管的工作特性制成,摒弃具有过电压保护和放大倍数可调节的功能,因此具有成本低、功能多样和使用方便的优点。 |
申请公布号 |
CN205725664U |
申请公布日期 |
2016.11.23 |
申请号 |
CN201620263809.8 |
申请日期 |
2016.04.01 |
申请人 |
黄烨宏 |
发明人 |
黄烨宏 |
分类号 |
H03F3/185(2006.01)I;H03F1/52(2006.01)I |
主分类号 |
H03F3/185(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种低频信号放大电路,包括电容C1、二极管D2、场效应晶体管V1和晶体管V2,其特征在于,所述电容C1的一端连接信号输入端IN,电容C1的另一端连接电阻R1和电容C2,电容C2的另一端连接电阻R1的另一端、电阻R2、二极管D1的阴极和二极管D2的阳极,二极管D2的阴极连接电阻R3和场效应晶体管V1漏极,电阻R3的另一端连接电阻R4和电源VCC,二极管D1的阳极连接电阻R6、电位器RP1和电容C3,电阻R2的另一端连接场效应晶体管V1的栅极,场效应晶体管V1的源极连接二极管D3的阳极,二极管D3的阴极连接电阻R5和电阻R6的另一端,电阻R5的另一端连接三极管V2的基极,三极管V2的发射极连接电阻R2和电阻R7,电阻R7的另一端连接电位器RP1的另一端,电阻R2的另一端连接电容C3的另一端,三极管V2的集电极连接电阻R4的另一端和输出端OUT。 |
地址 |
322200 浙江省金华市浦江县黄宅镇新华村迎宾路68号 |