一种SiC-MOSFET的高速隔离驱动保护电路

摘要

本实用新型公开了一种SiC‑MOSFET的高速隔离驱动保护电路，包括高速CMOS数字隔离电路、高速驱动电路、栅源极过压保护电路和负压产生电路。高速CMOS数字隔离电路可以实现输入端和驱动电路的严格电位隔离，并能保证驱动的快速性；高速驱动电路可提供强大的驱动电流；栅源极过压保护电路可以防止栅源极出现过电压；负压产生电路给栅源极间提供一个负电压，使SiC‑MOSFET可靠关断。本实用新型可用在高频电路中快速驱动SiC‑MOSFET，兼具快速性、隔离性，以及可靠的保护功能。

主权项

一种SiC‑MOSFET的高速隔离驱动保护电路，其特征在于包括高速CMOS数字隔离电路、高速驱动电路、栅源极过压保护电路和负压产生电路，输入信号与所述高速CMOS数字隔离电路连接，所述高速CMOS数字隔离电路与高速驱动电路连接，所述高速驱动电路与SiC‑MOSFET栅极连接，所述栅源极过压保护电路与SiC‑MOSFET栅源极连接，所述负压产生电路与SiC‑MOSFET源极连接。