一种离子注入工艺的精确控制方法

摘要

本发明公开了一种离子注入工艺的精确控制方法，包括选取半导体晶片上后续离子注入区域中至少两个不同特征的关键尺寸进行测量，建立后续离子注入的剂量与不同特征的关键尺寸之间的对应数学关系，通过数据库对不同特征的关键尺寸进行分析，得到后续离子注入的剂量，通过离子注入机剂量控制系统控制后续离子注入时在半导体晶片上的扫描速度，自动调节注入剂量，从而可精确控制单枚晶片的注入剂量补偿，可为相关产品的漏电率问题提供解决方案，并可稳定和提高先进制程的良率。

主权项

一种离子注入工艺的精确控制方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤01：提供一半导体晶片，选取所述半导体晶片上后续离子注入区域中至少两个不同特征的关键尺寸进行测量；步骤02：建立后续离子注入的剂量与所述不同特征的关键尺寸之间的对应数学关系，通过数据库对所述不同特征的关键尺寸进行分析，得到后续离子注入的剂量；步骤03：将上步骤得到的后续离子注入的剂量输入离子注入机剂量控制系统；步骤04：通过离子注入机剂量控制系统控制后续离子注入时在所述半导体晶片上的扫描速度，以自动调节后续离子注入的剂量。