| 发明名称 | 半导体封装结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体封装结构及其制造方法。半导体封装结构包括一基板、一第一芯片、一第一介电层、一介电封装层及至少一第一导孔。第一芯片设置于基板上。第一芯片具有一第一着陆区。第一介电层设置于第一芯片上。介电封装层将第一芯片及第一介电层封装于其中。第一导孔贯穿介电封装层及第一介电层。第一导孔连接至第一芯片的第一着陆区。 | ||
| 申请公布号 | CN106158775A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201510147264.4 | 申请日期 | 2015.03.31 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈士弘 |
| 分类号 | H01L23/31(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种半导体封装结构，包括：一基板；一第一芯片，设置于该基板上，该第一芯片具有一第一着陆区；一第一介电层，设置于该第一芯片上；一介电封装层，将该第一芯片及该第一介电层封装于其中；以及至少一第一导孔，贯穿该介电封装层及该第一介电层，该至少一第一导孔连接至该第一芯片的该第一着陆区。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||