发明名称 |
一种提高半导体激光器散热效率的方法及封装结构 |
摘要 |
本发明提出了一种提高半导体激光器散热效率的方法以及相应的封装结构,采用了多组金属与石墨以间隔排列方式制备而成的石墨‑金属复合热沉,该复合热沉在前述排列方向和其对应的其他方向上具有不同的导热率;激光芯片安装在石墨‑金属复合热沉上,激光芯片的安装面对应多组金属与石墨材料,使得激光芯片的散热路径为与石墨‑金属复合热沉中金属与石墨排列方向的垂直方向。本发明不仅解决由热应力引起的激光芯片损伤问题,而且相比传统的热沉具有更高的散热效率。 |
申请公布号 |
CN106159670A |
申请公布日期 |
2016.11.23 |
申请号 |
CN201610762115.3 |
申请日期 |
2016.08.30 |
申请人 |
西安炬光科技股份有限公司 |
发明人 |
蔡万绍;段磊;张宏友;刘兴胜 |
分类号 |
H01S5/024(2006.01)I;H01S5/022(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/024(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种提高半导体激光器散热效率的方法,包括以下步骤:1)将多组金属与石墨以间隔排列方式制备成石墨‑金属复合热沉,使所述复合热沉在前述排列方向和其对应的其他方向上具有不同的导热率;2)将激光芯片安装在石墨‑金属复合热沉上,激光芯片的安装面对应多组金属与石墨材料,即激光芯片同时与石墨‑金属复合热沉中的金属和石墨材料接触,使得激光芯片的散热路径为与石墨‑金属复合热沉中金属与石墨排列方向的垂直方向。 |
地址 |
710077 陕西省西安市高新区丈八六路56号陕西省高功率半导体激光器产业园内 |