发明名称 | 数据编程方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元 | ||
摘要 | 本发明提供一种数据编程方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。本发明的数据存储方法包括:接收第一数据并且将所述第一数据编程至第一下实体编程单元;接收第二数据;执行对应于所述第一下实体编程单元的第一数据获取操作,其中所述第一数据获取操作包括使用一第二读取电压来读取所述第一下实体编程单元以获得一第三数据,其中所述第二读取电压的一电压值不同于对应于所述第一下实体编程单元的一预设读取电压的一预设电压值;根据所述第三数据来将所述第二数据编程至所述第一上实体编程单元。本发明可降低编程结果发生错误的机率。 | ||
申请公布号 | CN106158024A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
申请号 | CN201510143860.5 | 申请日期 | 2015.03.30 |
申请人 | 群联电子股份有限公司 | 发明人 | 林纬;王天庆;赖国欣;许祐诚;杨其衡 |
分类号 | G11C16/10(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 马雯雯;臧建明 |
主权项 | 一种数据编程方法,用于可复写式非易失性存储器模块,其特征在于,所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体擦除单元,该些实体擦除单元中的第一实体擦除单元包括多个下实体编程单元与对应于该些下实体编程单元的多个上实体编程单元,所述数据编程方法包括:接收第一数据并且将所述第一数据编程至该些下实体编程单元中的第一下实体编程单元;接收第二数据;执行对应于所述第一下实体编程单元的第一数据获取操作,其中所述第一数据获取操作包括使用第二读取电压来读取所述第一下实体编程单元以获得第三数据,其中所述第二读取电压的电压值不同于对应于所述第一下实体编程单元的预设读取电压的预设电压值;以及根据所述第三数据来将所述第二数据编程至该些上实体编程单元中的第一上实体编程单元。 | ||
地址 | 中国台湾苗栗县竹南镇群义路1号 |