| 发明名称 | 一种NAND FLASH测试方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种NAND FLASH测试方法，包括以下步骤：S1、建立原始坏块表；S2、写入配置表和自检程序；S3、运行自检程序，利用ECC得到每个扇区中数据出错的位数，若达到阈值则判定扇区所属块为坏块，并建立新的坏块表；S4、比较新的坏块表和原始坏块表，若不一样，则判定为不合格。本发明利用ECC获取新的坏块表，并于原始坏块表进行比较判断是否合格，可以进一步提高测试准确性，避免把数据放在不稳定的存储空间中，使数码设备使用更稳定，寿命更长。 | ||
| 申请公布号 | CN106158047A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201610528502.0 | 申请日期 | 2016.07.06 |
| 申请人 | 深圳佰维存储科技股份有限公司 | 发明人 | 孙日欣;孙成思;李振华;黄善勇;叶欣;张翔;邝祖智 |
| 分类号 | G11C29/42(2006.01)I | 主分类号 | G11C29/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人 | 张明;刘晓燕 |
| 主权项 | 一种NAND FLASH测试方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、建立原始坏块表；S2、写入配置表和自检程序；S3、运行自检程序，利用ECC得到每个扇区中数据出错的位数，若达到阈值则判定扇区所属块为坏块，并建立新的坏块表；S4、比较新的坏块表和原始坏块表，若不一样，则判定为不合格。 | ||
| 地址 | 518055 广东省深圳市南山区桃源街道同富裕工业城4号厂房1楼、2楼、4楼、5楼 | ||