沉积工艺中用于化学前体的容器

摘要

本文公开的是存储和递送用于制造半导体器件的化学前体的系统以及使用该系统的方法。在一个方面，该存储系统包括该化学前体和容器，并且所述系统具有入口射流设计。所述化学前体在设定用于递送的容器温度下具有小于约50托‑绝对压力的低蒸气压。该递送系统还包含载气。该入口射流设计可以以一定压力和一定的低速率递送载气，以撞击在所述化学前体表面上而产生所述化学前体的蒸气或小滴。所述化学前体的蒸气或小滴然后与所述载气合并以提供负载前体的流体流，所述负载前体的流体流将传送到加工设备并在该加工设备中使用。

主权项

用于存储化学前体和递送化学前体到加工设备的系统，所述系统包括：所述化学前体，其选自：金属β‑二酮化物、金属β‑二酮酯化物、金属β‑酮亚胺化物、金属β‑二亚胺化物、金属烷基化物、金属羰基化物、烷基金属羰基化物、金属环戊二烯基化物、金属环戊二烯基羰基化物、金属吡咯基化物、金属咪唑基化物、金属脒基化物、金属烷氧基化物及其组合；其中所述化学前体中的配体选自与金属原子络合的单齿、二齿和多齿配体，以及所述金属选自：Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Sm、Tb、Er、Yb、Lu、Ti、Zr、Hf、Fe、Co、Ni、Ru、Ir、Rh、Cu、Al、Sn、Pb、Sb、Bi、Te、Cr、Mo和W；容纳所述化学前体的容器，所述容器包括：侧壁；基底；盖；和包含所述容器内所述化学前体上方空间的顶部空间；和穿过所述盖并具有在所述顶部空间内的喷嘴的入口；其中所述喷嘴的末端位于距所述化学前体的表面大于或等于0.5英寸处，并且所述喷嘴与所述盖呈90°角；以及穿过所述盖的出口；其中所述化学前体在设定用于递送的容器温度下具有小于约50托‑绝对压力的低蒸气压，并且具有高于或低于设定用于存储的容器温度且低于设定用于递送的容器温度的熔点；并且所述容器具有100毫升(ml)至10升范围的容积。