发明名称 |
用于射频通信系统的静电放电保护电路 |
摘要 |
本公开涉及用于射频通信系统的静电放电保护电路。提供了用于射频电路的静电放电(ESD)保护的装置和方法。在一些配置中,ESD保护电路包括串联地电连接在射频信号引脚与射频地引脚之间的两对以上场效应晶体管(FET)。两对以上FET中的每一对均包括用于提供应对负极性ESD事件的保护的负ESD保护FET以及用于提供应对正极性ESD事件的保护的正ESD保护FET。负ESD保护FET的源极和栅极彼此电连接,并且所述正ESD保护FET的源极和栅极彼此电连接。另外地,负ESD保护FET和正ESD保护FET的漏极彼此电连接。ESD保护电路展现出相对低的电容和平坦的电容对电源特性。 |
申请公布号 |
CN106158849A |
申请公布日期 |
2016.11.23 |
申请号 |
CN201610319631.9 |
申请日期 |
2016.05.13 |
申请人 |
美国亚德诺半导体公司 |
发明人 |
S·帕萨萨拉希;J·A·塞尔瑟多;R·卡里略-拉姆利兹 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
申发振 |
主权项 |
集成电路,包括:第一引脚;第二引脚;以及静电放电(ESD)保护电路,其包括串联地连接在所述第一引脚与所述第二引脚之间的两对以上的场效应晶体管(FET),其中所述两对以上的FET中的每一对均包括:负ESD保护FET,其包括彼此电连接的源极和栅极以及漏极;以及正ESD保护FET,其包括彼此电连接的源极和栅极以及漏极,其中所述负ESD保护FET的漏极与所述正ESD保护FET的漏极电连接。 |
地址 |
美国马萨诸塞州 |