| 发明名称 | 光刻方法及其应用工艺 | ||
| 摘要 | 本申请提供了一种光刻方法及其应用工艺。该光刻方法包括：步骤S1，在晶片表面的介质层上设置主光刻胶层，介质层至少包括SiO<sub>X</sub>层，且SiO<sub>X</sub>层直接设置在晶片的硅衬底的表面上；步骤S2，对主光刻胶层进行曝光；步骤S3，在曝光后的主光刻胶层的边缘区域设置副光刻胶层；步骤S4，对曝光后的主光刻胶层和副光刻胶层进行显影，形成光刻胶掩膜层；以及步骤S5，在光刻胶掩膜层的保护下，对介质层进行刻蚀。该光刻方法使得刻蚀后晶片边缘区域的与硅衬底直接接触的SiO<sub>X</sub>层得以保留下来，进而使后续设置的结构层未与晶片的衬底硅直接接触，进而避免了热处理过程中二者之间的较大应力导致的剥落缺陷的产生，提高了器件的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN106158594A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201510181033.5 | 申请日期 | 2015.04.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 赵书文 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 赵囡囡;梁文惠 |
| 主权项 | 一种光刻方法，其特征在于，所述光刻方法包括：步骤S1，在晶片表面的介质层上设置主光刻胶层，所述介质层至少包括SiO<sub>X</sub>层，且所述SiO<sub>X</sub>层直接设置在所述晶片的硅衬底的表面上；步骤S2，对所述主光刻胶层进行曝光；步骤S3，在曝光后的所述主光刻胶层的边缘区域设置副光刻胶层；步骤S4，对曝光后的所述主光刻胶层和所述副光刻胶层进行显影，形成光刻胶掩膜层；以及步骤S5，在所述光刻胶掩膜层的保护下，对所述介质层进行刻蚀。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||