| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底中形成有金属插塞；在所述基底上形成铜金属层；在所述金属插塞上的铜金属层表面上形成硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜，采用无卤素的气体团簇离子束刻蚀工艺去除部分厚度的铜金属层；继续以所述硬掩膜层为掩膜，采用中性粒子束刻蚀工艺去除剩余的铜金属层，在硬掩膜层底部形成与金属插塞连接的铜金属线。本发明的方法，提高了铜金属线与金属插塞的接触面积。 | ||
| 申请公布号 | CN106158724A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201510131248.6 | 申请日期 | 2015.03.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋;姚达林 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底中形成有金属插塞；在所述基底上形成铜金属层；在所述金属插塞上的铜金属层表面上形成硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜，采用无卤素的气体团簇离子束刻蚀工艺去除部分厚度的铜金属层；继续以所述硬掩膜层为掩膜，采用中性粒子束刻蚀工艺去除剩余的铜金属层，在硬掩膜层底部形成与金属插塞连接的铜金属线。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||