半导体封装体及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体封装体及其制作方法，半导体封装体包括绝缘层、芯片、热接口材料、散热盖体以及重配置线路层。绝缘层具有容纳开口。芯片设置于容纳开口内。芯片具有主动表面、相对于主动表面的背面以及连接主动表面与背面的侧表面。热接口材料填充于容纳开口中以至少包覆芯片的侧表面并且暴露出主动表面。重配置线路层与散热盖体分别配置于绝缘层的两侧。散热盖体通过热接口材料与芯片热耦接。重配置线路层覆盖于芯片的主动表面与热接口材料，且重配置线路层与芯片电性连接。本发明的半导体封装体具有良好的散热效率。

主权项

一种半导体封装体，其特征在于，包括：绝缘层，具有容纳开口；芯片，设置于所述容纳开口内，所述芯片具有主动表面、相对于所述主动表面的背面以及连接所述主动表面与所述背面的侧表面；热接口材料，填充于所述容纳开口中以至少包覆所述芯片的所述侧表面并且暴露出所述主动表面；散热盖体；以及重配置线路层，其中所述重配置线路层与所述散热盖体分别配置于所述绝缘层的两侧，所述散热盖体通过所述热接口材料与所述芯片热耦接，而所述重配置线路层覆盖于所述芯片的所述主动表面与所述热接口材料，且所述重配置线路层与所述芯片电性连接。