| 发明名称 | 一种石墨烯导电薄膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种石墨烯导电薄膜的制备方法，属于导电薄膜生产技术领域。所述方法包括以下步骤A．沉积镍薄膜层：在玻璃基底上沉积镍薄膜层；B．沉积石墨烯薄膜层：采用CVD法沉积石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层的厚度为50～90μm；C．清洗、干燥：将步骤B得到的半成品进行降温处理，待温度降至室温后，将石墨烯薄膜层用稀硝酸进行清洗，去除表面镍薄膜层，然后进行干燥即可。本发明具有生产成本低，效率高的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN106158145A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201610465005.0 | 申请日期 | 2016.06.24 |
| 申请人 | 成都天航智虹企业管理咨询有限公司 | 发明人 | 何娟 |
| 分类号 | H01B13/00(2006.01)I;H01B1/04(2006.01)I | 主分类号 | H01B13/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人 | 苏丹 |
| 主权项 | 一种石墨烯导电薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：A．沉积镍薄膜层在玻璃基底上沉积镍薄膜层；所述沉积镍薄膜层的方法为磁控溅射法，本底真空度：5×10<sup>‑5</sup>～2×10<sup>‑4</sup>Pa，衬底温度50～80℃；B．沉积石墨烯薄膜层采用CVD法沉积石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层的厚度为50～90μm；C．后处理将步骤B得到的半成品进行降温处理，待温度降至室温后，将石墨烯薄膜层用稀硝酸进行清洗，去除表面镍薄膜层，然后进行干燥即得到所述石墨烯导电薄膜。 | ||
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区府城大道西段399号7栋1单元14层5号 | ||