| 发明名称 | 晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管及其形成方法，其中，该形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成悬空的纳米线；形成隔离层，所述隔离层覆盖纳米线底部的半导体衬底表面；形成覆盖所述纳米线表面的沟道层和覆盖所述沟道层表面的接触层；刻蚀所述接触层形成暴露出所述沟道层的沟槽；在所述沟槽内形成覆盖所述沟道层表面的势垒层；形成包裹所述势垒层并包裹部分所述接触层的栅极结构；形成位于接触层的源极和漏极，且所述源极和漏极分别位于栅极结构两侧。形成的晶体管对沟道控制能力较好。 | ||
| 申请公布号 | CN106158636A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201510149074.6 | 申请日期 | 2015.03.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 肖德元 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成悬空的纳米线；形成隔离层，所述隔离层覆盖纳米线底部的半导体衬底表面；形成覆盖所述纳米线表面的沟道层；形成覆盖所述沟道层表面的接触层；刻蚀所述接触层形成暴露出所述沟道层的沟槽；在所述沟槽内形成覆盖所述沟道层表面的势垒层；形成包裹所述势垒层并包裹部分所述接触层的栅极结构；位于接触层的源极和漏极，且所述源极和漏极分别位于栅极结构两侧。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||