| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Lithografiebelichtungseinrichtung zur lithographischen direkten Belichten eines Musters auf einem Substrat (30), das eine lichtempfindliche Schicht im UV Bereich von 350 nm - 450 nm aufweist, sowie ein entsprechendes Verfahren. Die Lithografiebelichtungseinrichtung umfasst eine Belichtungseinrichtung (10) die eine modulierte Lichtquelle mit einer oder mehreren UV-Laserlichtquellen (11) aufweist, zur Erzeugung eines kollimierten UV-Laserlichts (13) im Wellenlängenbereich von 350 nm - 450 nm. Zudem weist die Lithografiebelichtungseinrichtung eine veränderbare Ablenkeinrichtung (12) auf, mit der das kollimierte UV-Laserlicht (13) abgelenkt wir, um das Muster auf das Substrat (30) zu Belichten. |
