| 发明名称 |
- Multi-level Phase-change Memory Device and Operation Method thereof |
| 摘要 |
상변환 메모리 장치가 개시된다. 상기 상변환 메모리 장치는 상변환 메모리 셀에 저장될 수 있는 비트 수로 데이터와 어드레스를 그룹화하여 라이트(write) 및 리드(read) 동작을 수행함으로써 라이트 및 리드 속도는 증가시키고 소모 전력은 감소시킬 수 있다. |
| 申请公布号 |
KR101678886(B1) |
申请公布日期 |
2016.11.23 |
| 申请号 |
KR20090114728 |
申请日期 |
2009.11.25 |
| 申请人 |
삼성전자주식회사 |
发明人 |
강용훈;이동양 |
| 分类号 |
G11C13/02;G11C11/56;G11C13/00;G11C16/04 |
主分类号 |
G11C13/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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