发明名称 |
氟化石墨烯作为高阻层的太阳能电池及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种氟化石墨烯薄膜作为高阻层的太阳能电池。在太阳能电池中,电池的结构从下到上依次为作为背电极的金属薄膜层、背接触层、吸收层、窗口层、氟化石墨烯高阻层和透明导电薄膜层。0.34~20nm厚的氟化石墨烯薄膜代替本征氧化物作为新型高阻层,可以减少不同薄膜之间原子的扩散,提高界面性质,可以避免因窗口层薄膜的针孔效应引起的电池短路,进一步提高电池的效率。相比于传统高阻层,厚度较薄的氟化石墨烯薄膜更有益于电子的隧穿效应,以及电子的转移和收集。 |
申请公布号 |
CN104992987B |
申请公布日期 |
2016.11.23 |
申请号 |
CN201510339381.0 |
申请日期 |
2015.06.18 |
申请人 |
西交利物浦大学 |
发明人 |
吴京锦;赵策洲;赵胤超 |
分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/073(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I |
代理机构 |
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 |
代理人 |
范晴;丁浩秋 |
主权项 |
一种氟化石墨烯作为高阻层的太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括从下到上依次为作为背电极的金属薄膜层、背接触层、吸收层、窗口层、氟化石墨烯高阻层和透明导电薄膜层。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高等教育区仁爱路111号 |