发明名称 薄膜电容器及其制造方法
摘要 本发明公开了一种薄膜电容器及其制造方法。该薄膜电容器包括:半导体衬底;第一金属层,其位于所述半导体衬底上;电介质层,其位于所述第一金属层上;以及第二金属层,其位于所述电介质层上,与所述第一金属层一起将所述电介质层夹在中间构成“三明治”结构。本发明采用聚四氟乙烯(Teflon)作为两层铝薄膜电极之间的电介质层,因此更适合溅射沉积,并且在室温下即可沉积,且具有沉积速率较高的优点。
申请公布号 CN106158376A 申请公布日期 2016.11.23
申请号 CN201610787122.9 申请日期 2016.08.31
申请人 北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司 发明人 刁克明
分类号 H01G4/33(2006.01)I;H01G4/14(2006.01)I;H01G4/10(2006.01)I 主分类号 H01G4/33(2006.01)I
代理机构 北京格允知识产权代理有限公司 11609 代理人 周娇娇;谭辉
主权项 一种薄膜电容器,其特征在于,包括:半导体衬底;第一金属层,其位于所述半导体衬底上;电介质层,其位于所述第一金属层上;以及第二金属层,其位于所述电介质层上,与所述第一金属层一起将所述电介质层夹在中间构成“三明治”结构。
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