一种磁控溅射制备纳米硅薄膜钛酸锂负极的方法

摘要

一种磁控溅射制备纳米硅薄膜钛酸锂负极的方法，其特征由以下步骤组成：采用PECVD超高真空多功能磁控溅射镀膜设备；磁控溅射工作室内安装硅靶，与靶材相向的工作台平铺钛酸锂负极材料，溅射气体为纯度99.999％的Ar气，将溅射腔室的本底真空抽至6.6X10^-5Pa，打开通气阀通入Ar气，Ar气流量为20sccm，调节溅射压强为6.8pa～7.2pa，溅射2nm～7nm硅薄膜与钛酸锂负极材料表面附着，制成纳米硅薄膜钛酸锂负极材料。通过钛酸锂负极材料表面与溅射硅薄膜附着制成纳米硅薄膜钛酸锂负极材料能提高钛酸锂负极材料比容量。

主权项

一种磁控溅射制备纳米硅薄膜钛酸锂负极的方法，其特征由以下步骤组成：采用超高真空多功能磁控溅射镀膜设备；磁控溅射工作室内安装硅靶，与靶材相向的工作台平铺钛酸锂负极材料；溅射气体为纯度99.999％的Ar气；将溅射腔室的本底真空抽至6.6X10^‑5Pa；打开通气阀通入Ar气，Ar气流量为20sccm，调节溅射压强为6.8pa～7.2pa；溅射2nm～7nm硅薄膜与钛酸锂负极材料表面附着，制成纳米硅薄膜钛酸锂负极材料。所述的钛酸锂负极材料粒度分布范围0.5um～5.um；所述的靶材，采用纯度为99.999％的硅靶，硅靶材质采用单晶硅、多晶硅的一种；所述的溅射硅薄膜附着于钛酸锂负极材料，硅薄膜厚度为2nm～7nm，平均膜厚5nm。