| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法。与通过蚀刻设置有沟槽部的半导体层相比，通过使进一步形成在该沟槽部的外延层的杂质浓度降低来缓和沟槽部中的电场集中。在本发明的第一形态中，提供一种半导体装置，具备：第一半导体层，其具有第一导电型的杂质；沟槽部，其设置在第一半导体层的正面侧；以及第二半导体层，其设置在沟槽部的内壁，具有浓度比第一半导体层低的第一导电型的杂质。 | ||
| 申请公布号 | CN106158925A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201610206256.7 | 申请日期 | 2016.04.05 |
| 申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 西村武义 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 金玉兰;王颖 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：第一半导体层，其具有第一导电型的杂质；沟槽部，其设置在所述第一半导体层的正面侧；以及第二半导体层，其设置在所述沟槽部的内壁，且具有浓度比所述第一半导体层低的第一导电型的杂质。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||