| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 提供了一种包括鳍形图案的半导体装置。所述半导体装置包括：第一鳍形图案；场绝缘层，设置在第一鳍形图案的附近，并具有第一部分和第二部分，第一部分从第二部分突出；第一虚设栅极堆叠件，形成在场绝缘层的第一部分上，并包括具有第一厚度的第一虚设栅极绝缘层；第一栅极堆叠件，形成在场绝缘层的第二部分上以与第一鳍形图案相交，并包括具有与第一厚度不同的第二厚度的第一栅极绝缘层。 | ||
| 申请公布号 | CN106158970A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201610288540.3 | 申请日期 | 2016.05.04 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 刘庭均;金载哲 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 刘灿强;李云霞 |
| 主权项 | 一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍形图案；场绝缘层，围绕第一鳍形图案的部分，并具有第一部分和第二部分，第一部分从第二部分突出；第一虚设栅极堆叠件，位于场绝缘层的第一部分上，并包括具有第一厚度的第一虚设栅极绝缘层；以及第一栅极堆叠件，位于场绝缘层的第二部分上，所述第一栅极堆叠件与第一鳍形图案相交，并包括具有与第一厚度不同的第二厚度的第一栅极绝缘层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||