| 发明名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法包括：提供衬底，所述衬底表面形成有栅极结构；刻蚀所述栅极结构两侧的部分厚度的衬底，在所述衬底内形成凹槽；在所述凹槽靠近栅极结构的侧壁表面形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层表面形成应力层，且所述应力层填充满所述凹槽；对所述应力层进行掺杂处理，在所述应力层内形成重掺杂区。本发明防止重掺杂区的掺杂离子向栅极结构下方的衬底扩散，从而改善短沟道效应，提高源漏击穿电压，减小半导体器件的漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN106158634A | 申请公布日期 | 2016.11.23 |
| 申请号 | CN201510144361.8 | 申请日期 | 2015.03.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有栅极结构；刻蚀所述栅极结构两侧的部分厚度的衬底，在所述衬底内形成凹槽；在所述凹槽内靠近栅极结构一侧的侧壁表面形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层表面形成应力层，且所述应力层填充满所述凹槽；对所述应力层进行掺杂处理，在所述应力层内形成重掺杂区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||