发明名称 一种CsPbI<sub>3</sub>薄膜的溶液制备方法及其光伏器件的应用
摘要 本发明公开了一种CsPbI<sub>3</sub>薄膜的溶液制备方法及其光伏器件的应用,其中CsPbI<sub>3</sub>薄膜的溶液制备方法是首先通过陈化方法制备CsPbI<sub>3</sub>前驱体溶液,随后旋涂并干燥制备CsPbI<sub>3</sub>前驱体薄膜,最后通过溶剂退火的方法制备CsPbI<sub>3</sub>薄膜。本发明无需惰性气氛保护,在大气条件下所制备的无机钙钛矿电池稳定性较好,前期光电效率已达3.19%;同时工艺简单、成本低廉、易于工业化放大,因而有望推动无机钙钛矿电池的发展与应用。
申请公布号 CN106159087A 申请公布日期 2016.11.23
申请号 CN201610537533.2 申请日期 2016.07.08
申请人 合肥工业大学 发明人 罗派峰;夏伟;周圣稳
分类号 H01L51/00(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I 主分类号 H01L51/00(2006.01)I
代理机构 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 代理人 乔恒婷
主权项 一种CsPbI<sub>3</sub>薄膜的溶液制备方法,其特征在于包括如下步骤:(1)CsPbI<sub>3</sub>前驱体溶液的制备:将0.5mmol CsI和0.5mmol PbI<sub>2</sub>加入到2mL DMF中搅拌至溶解完全,随后加入0~165μL 57wt%的HI溶液助溶,继续搅拌直至溶解完全,静置陈化0~96hrs,得到黄色CsPbI<sub>3</sub>前驱体溶液;(2)CsPbI<sub>3</sub>前驱体薄膜的制备:在FTO玻璃基底上旋涂所述CsPbI<sub>3</sub>前驱体溶液,旋转速度为2000rpm,旋涂时间为30s,随后置于100℃的加热板上干燥10min,即得到CsPbI<sub>3</sub>前驱体薄膜;(3)CsPbI<sub>3</sub>薄膜的制备:在玻璃培养皿中加入30mL溶剂,将所述CsPbI<sub>3</sub>前驱体薄膜浸泡在溶剂中,并将玻璃培养皿放在80~200℃的加热板上退火,退火时间为1~15min,退火结束后将基底吹干,通过溶剂诱导晶粒二次生长得到大晶粒的CsPbI<sub>3</sub>致密薄膜。
地址 230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号