一种红黄光发光二极管芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种红黄光发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述红黄发光二极管芯片包括依次层叠的蓝宝石衬底、SiO₂层、GaP层、P型AlInP层、多量子阱层、N型AlInP层、AlGaInP层，所述AlGaInP层上开设有从所述AlGaInP层延伸至所述GaP层的凹槽，所述AlGaInP层上设置有N型电极，所述GaP层上设置有P型电极。本发明通过采用蓝宝石衬底代替Si衬底，可以大幅降低衬底进行研磨减薄之后的厚度，避免碎片，在将红黄光LED芯片和蓝绿光LED芯片封装成为白光LED的过程中，无需调节即可与采用蓝宝石衬底的蓝绿光LED芯片发光区高度一致，提高了白光LED的生产效率。

主权项

一种红黄光发光二极管芯片，其特征在于，所述红黄发光二极管芯片包括依次层叠的蓝宝石衬底、SiO₂层、GaP层、P型AlInP层、多量子阱层、N型AlInP层、AlGaInP层，所述AlGaInP层上开设有从所述AlGaInP层延伸至所述GaP层的凹槽，所述AlGaInP层上设置有N型电极，所述GaP层上设置有P型电极。