带有限流PN结的场发射阴极结构

摘要

本发明提供一种带有限流PN结的场发射阴极结构，包括衬底、衬底上方的导电层、导电层上方的P型半导体层、P型半导体层上方的N型半导体层、N型半导体层上方的阴极发射体，P型半导体层与N型半导体层形成一个PN结，PN结在阴极工作时处于反向偏置状态；本发明利用PN结在一定的反向偏压下流通电流几乎不随反向偏置电压的变化而变化的特点，通过在场发射阵列中的每一个发射单元下方都串联一个PN结，平衡每一个单元的发射电流，从而提高场发射阴极阵列的发射电流的稳定性和均匀性，避免部分发射体负载过大而烧毁，延长器件的寿命，提高阴极的总体发射能力。

主权项

一种带有限流PN结的场发射阴极结构，其特征在于：包括衬底、衬底上方的导电层，导电层上方的P型半导体层、P型半导体层上方的N型半导体层、N型半导体层上方的阴极发射体，P型半导体层与N型半导体层形成一个PN结，所述PN结在阴极发射体工作时处于反向偏置状态。