发明名称 |
单次可编程记忆体、电子系统、操作单次可编程记忆体方法及编程单次可编程记忆体方法 |
摘要 |
以标准CMOS逻辑工艺制作的接面二极管可作为单次可编程(OTP)元件的编程选择器,此OTP元件例如为电性熔丝。此电性熔丝的至少一部分具有至少一扩展区以加速编程。编程选择器可为至少一二极管或一MOS,其可以由MOS通道或源极/漏极二极管导通。OTP元件可有至少一OTP元素耦接至一记忆体单元中的至少一二极管。本发明也揭露编程此电性熔丝的方法。藉由维持编程电流低于一临界电流,可有利达成稳定编程。依据另一实施例,可编程电阻元素也可使用至少一MOS组件作为编程选择器,或藉由导通MOS的源极/漏极二极管或是MOS通道而读取。 |
申请公布号 |
CN106133841A |
申请公布日期 |
2016.11.16 |
申请号 |
CN201480051949.2 |
申请日期 |
2014.09.19 |
申请人 |
庄建祥 |
发明人 |
庄建祥 |
分类号 |
G11C17/16(2006.01)I;G11C17/18(2006.01)I |
主分类号 |
G11C17/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
梁挥;祁建国 |
主权项 |
一种单次可编程(OTP)记忆体,其特征在于,包含:多个单次可编程单元,至少一单次可编程单元包含至少:一单次可编程元素包含至少一电性熔丝,该电性熔丝耦接至一第一电压源线;以及一编程选择器耦接至该单次可编程元素及一第二电压源线,其中该电性熔丝至少有一部分具有至少一扩展区,该扩展区有减量电流或是没有电流流过;及其中该单次可编程元素系可藉由施加电压至该第一及第二电压源线及导通该编程选择器而编程,藉此将该单次可编程元素改变至不同逻辑状态。 |
地址 |
美国加州圣荷西波多阿雷格大道5988 |