发明名称 |
研磨用组合物及使用其的研磨方法 |
摘要 |
本发明提供能够充分消除SiN膜的高度差的研磨用组合物。本发明为一种研磨用组合物,其用于对在pH小于6的条件下表面带正电的研磨对象物进行研磨的用途,前述研磨用组合物含有水、磨粒、和具有特定的单元结构的阴离子性共聚物,且pH小于6,前述阴离子性共聚物具有酸度不同的2种以上酸性基团。 |
申请公布号 |
CN106133105A |
申请公布日期 |
2016.11.16 |
申请号 |
CN201580017238.8 |
申请日期 |
2015.02.26 |
申请人 |
福吉米株式会社 |
发明人 |
篠田敏男 |
分类号 |
C09K3/14(2006.01)I;B24B37/00(2012.01)I;H01L21/304(2006.01)I |
主分类号 |
C09K3/14(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;李茂家 |
主权项 |
一种研磨用组合物,其用于对在pH小于6的条件下表面带正电的研磨对象物进行研磨的用途,所述研磨用组合物含有水、磨粒、和具有下述通式1或下述通式2所示的单元结构的阴离子性共聚物,且pH小于6,所述阴离子性共聚物具有酸度不同的2种以上酸性基团,<img file="FDA0001122683380000011.GIF" wi="1334" he="410" />所述通式1中,Q<sup>1</sup>为:氢;选自由甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基组成的组中的碳数1~6的烷基;选自由甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、正己氧基等组成的组中的碳数1~6的烷氧基,Q<sup>1’</sup>为单键、醚键、酯键、酰胺键、羰基键中的任一种,x为0~10的整数,y为0~10的整数,X为选自磺酸基、羧基、羟基或磷酸基的酸性基团;或者具有至少1种这些酸性基团的碳数1~10的脂肪族烃基;或者具有至少1种所述酸性基团的碳数6~12的芳香族烃基,<img file="FDA0001122683380000012.GIF" wi="1350" he="247" />所述通式2中,Ar为取代或非取代的碳数6~12的芳香族基团,Ar为取代的芳香族基团时,作为取代基,列举出选自由甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基组成的组中的碳数1~6的烷基;选自由甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、正己氧基等组成的组中的碳数1~6的烷氧基,Q<sup>2</sup>为单键、醚键、酯键、酰胺键、羰基键中的任一种,x为0~10的整数,y为0~10的整数,Y为选自磺酸基、羧基、羟基或磷酸基的酸性基团;或者具有至少1种这些酸性基团的碳数1~10的脂肪族烃基;或者具有至少1种所述酸性基团的碳数6~12的芳香族烃基。 |
地址 |
日本爱知县 |