发明名称 一种用于半导体焊接的铜键合线及其制备方法
摘要 一种用于半导体焊接的铜键合线,所述铜键合线由铜合金材料制成,所述铜合金材料由以下重量百分比的原料制成:铜99.99%~99.9999%;银0.005~0.01%;铅0~0.0005%;磷0.0005~0.002%;所述铜合金还包括磁性材料:铁0.002~0.01%;钴0.002~0.01%;镍0.0001%~0.0005%。本发明生成的铜键合丝性能良好稳定,具有防氧化和抗电磁干扰的优点。采用这种合金成分的铜线,既可以提升铜线的延伸率,从而改善焊接效果,又具有比金线成本更低的优点;铁钴镍三种磁性元素的加入可以防止铜键合线之间相互的电磁干扰,有利于半导体封装的电信号传输。
申请公布号 CN106129034A 申请公布日期 2016.11.16
申请号 CN201610606429.4 申请日期 2016.07.29
申请人 王汉清 发明人 王汉清
分类号 H01L23/49(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I 主分类号 H01L23/49(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种用于半导体焊接的铜键合线,所述铜键合线由铜合金材料制成,所述铜合金材料由以下重量百分比的原料制成:铜 99.99%~99.9999%;银 0.005~0.01%;铅 0~0.0005%;磷 0.0005~0.002%;其特征在于,所述铜合金还包括磁性材料:铁 0.002~0.01%;钴 0.002~0.01%;镍 0.0001%~0.0005%。
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