发明名称 |
一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池组件内联方法 |
摘要 |
本发明公开了一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池组件内联方法,包括如下步骤:步骤1、采用激光蚀刻法在透明导电层上蚀刻出至少一条预处理沟道;预处理沟道的底面为高阻层的上表面;步骤2、采用激光蚀刻法在每条预处理沟道的一侧分别蚀刻出第一条沟道、第二条沟道、第三条沟道;第一条沟道的一个侧边与预处理沟道连通;第一条沟道的底面为衬底的上表面;第二条沟道位于第一条沟道和第三条沟道之间;第二条沟道的底面为背电极层的上表面;第三条沟道的底面位于高阻层的上表面至背电极层的上表面之间;步骤3、向第一条沟道和预处理沟道内灌注绝缘材料并进行固化;步骤4、采用丝网印刷的方法印刷银浆并进行固化;步骤5、固化电极材料。 |
申请公布号 |
CN106129147A |
申请公布日期 |
2016.11.16 |
申请号 |
CN201610826789.5 |
申请日期 |
2016.09.19 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第十八研究所 |
发明人 |
闫礼;乔在祥;冯洋;刘洋;张超;冯金晖 |
分类号 |
H01L31/0463(2014.01)I;H01L31/0465(2014.01)I |
主分类号 |
H01L31/0463(2014.01)I |
代理机构 |
天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 |
代理人 |
李凤 |
主权项 |
一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池组件内联方法,其特征在于:所述柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池自下而上依次包括:衬底(1)、背电极层(2)、吸收层(3)、缓冲层(4)、高阻层(5)、透明导电层(6);至少包括如下步骤:步骤101、采用激光蚀刻法自上而下在所述透明导电层(6)上蚀刻出至少一条预处理沟道(7);所述预处理沟道(7)的底面为高阻层(5)的上表面;步骤102、采用激光蚀刻法自上而下在每条预处理沟道(7)的一侧分别蚀刻出第一条沟道(8)、第二条沟道(9)、第三条沟道(10);其中:所述第一条沟道(8)的一个侧边与预处理沟道(7)连通;所述第一条沟道(8)的底面为衬底(1)的上表面;所述第二条沟道(9)位于第一条沟道(8)和第三条沟道(10)之间;所述第二条沟道(9)的底面为背电极层(2)的上表面;所述第三条沟道(10)的底面位于高阻层(5)的上表面至背电极层(2)的上表面之间;步骤103、向第一条沟道(8)和预处理沟道(7)内灌注绝缘材料(11)并进行固化;步骤104、采用丝网印刷的方法印刷银浆并进行固化;具体为:将银浆填充在第二条沟道(9)内,所述银浆越过第一条沟道(8),进而覆盖至第一条沟道(8)一侧的顶电极,使得银浆与背电极充分接触,前一个子电池的顶电极与后一个子电池的背电极相连接,实现子电池之间的串联;步骤105、固化电极材料(12)。 |
地址 |
300384 天津市滨海新区滨海高新技术产业开发区华科七路6号 |