一种浮栅型闪存及其制备方法

摘要

本发明涉及非易失性存储器制造技术领域，尤其涉及一种浮栅型闪存及其制备方法，在浮栅蚀刻完之后，在硅片上沉积氧化硅与氮化硅，然后用干法蚀刻的方式形成氮化硅隔离薄膜，接着沉积一层氧化硅作为氮化硅湿法蚀刻的硬掩膜版，再用湿法的方式去除浮栅和字线（即漏极）之外的氮化硅和硅片表面的氧化硅，从而形成浮栅和字线之间的氮化硅隔离侧墙；该氮化硅隔离侧墙在浮栅与字线之间形成有效的隔离，且具有极薄的厚度，不会影响器件的编程效率；本发明浮栅型闪存的制备方法一方面实现了减薄浮栅与字线之间隔离层的厚度，另一方面有效提高了器件的编程效率。

主权项

一种浮栅型闪存，其特征在于，包括：衬底；按照从下至上的顺序依次覆盖于所述衬底之上的遂穿氧化层、浮栅、绝缘层和控制栅；以及漏极，临近所述浮栅设置于所述遂穿氧化层之上，且所述漏极与所述浮栅之间设置有一氮化硅隔离薄膜。