| 发明名称 | 一种碳炔薄膜及其制备方法与应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种碳炔薄膜及其制备方法与应用。该碳炔薄膜为由式I所示化合物构成的碳炔薄膜。该薄膜是由式II所示化合物通过Glaser‑Hay偶联反应而得。本发明提供的制备碳炔薄膜的方法，工艺简便，能够在铜片或者铜薄膜层表面大面积制备碳炔薄膜，其电导率为1.4×10<sup>‑2</sup>S/m，该薄膜表面均匀，可在空气中稳定存在，采用核磁碳谱、原子力显微镜和拉曼光谱对碳炔化合物的结构组成进行了分析，确定了碳炔的构成。同时，对碳炔薄膜的导电性进行了测量，发现其是一种与接近金属性能的半导体，在催化、电子、半导体、能源和材料等领域具有广阔的应用前景。<img file="DDA0001028441720000011.GIF" wi="1037" he="711" /> | ||
| 申请公布号 | CN106117521A | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201610473762.2 | 申请日期 | 2016.06.24 |
| 申请人 | 中国科学院化学研究所 | 发明人 | 李玉良;贾志宇;刘辉彪 |
| 分类号 | C08G61/04(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I | 主分类号 | C08G61/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 关畅 |
| 主权项 | 式I所示聚合物，<img file="FDA0001028441690000011.GIF" wi="742" he="702" />所述式I中，n为10‑100000。 | ||
| 地址 | 100080 北京市海淀区中关村北一街2号 | ||