发明名称 |
纳米微结构的制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种纳米微结构的制作方法,包括以下步骤:在基板上形成纳米级分散的疏水聚合物颗粒层;生成多个分别与该多个疏水聚合物颗粒一一对应且间隔分布的第一结晶块;在每一第一结晶块上生成一第二结晶块;在每一第二结晶块上生成一第三结晶块;其中,该第一聚合物不溶于第二聚合物溶液,该第二聚合物不溶于第三聚合物溶液,该第一预设浓度、第二预设浓度以及第三预设浓度依次降低。本发明具有工艺流程简单,且该基板的抗反射性能更好的有益效果。 |
申请公布号 |
CN106115610A |
申请公布日期 |
2016.11.16 |
申请号 |
CN201610526724.9 |
申请日期 |
2016.07.05 |
申请人 |
武汉华星光电技术有限公司 |
发明人 |
杨勇 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 |
代理人 |
黄威 |
主权项 |
一种纳米微结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:在基板上形成纳米级分散的疏水聚合物颗粒层,该疏水聚合物颗粒层具有多个间隔分布的疏水聚合物颗粒;在该疏水聚合物颗粒层上涂布第一预设浓度的第一聚合物溶液,该第一聚合物溶液中的第一聚合物以疏水聚合物颗粒为成核中心进行结晶,以生成多个分别与该多个疏水聚合物颗粒一一对应且间隔分布的第一结晶块;在该多个第一结晶块上涂布第二预设浓度的第二聚合物溶液,该第二聚合物溶液中的第二聚合物以与该第一结晶块的接触面为成核中心进行异相成核结晶,以分别在每一第一结晶块上生成一第二结晶块;在该多个第二结晶块上涂布第三预设浓度的第三聚合物溶液,该第三聚合物溶液中的第三聚合物以与每一第二结晶块的接触面为成核中心进行异相成核结晶,以分别在每一第二结晶块上生成一第三结晶块;其中,该第一聚合物不溶于第二聚合物溶液,该第二聚合物不溶于第三聚合物溶液,该第一预设浓度、第二预设浓度以及第三预设浓度依次降低。 |
地址 |
430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋 |