发明名称 一种聚合物纳米柱阵列的无模板制备方法
摘要 本发明涉及一种聚合物纳米柱阵列的无模板制备方法,根据本发明的方法,提供一种聚合物,所述聚合物具有相应的表面;在所述聚合物的所述表面上沉积未形成连续膜状态的金属层,通过所述沉积形成所述聚合物的被所述金属层覆盖的暂时保护区,以及未被所述金属层覆盖的暴露区;对沉积有所述金属层的聚合物的表面进行蚀刻,使得未被所述金属层覆盖的暴露区被蚀刻,而被所述金属层覆盖的所述暂时保护区未被蚀刻,由此形成聚合物的纳米柱阵列。本发明的实现了一种聚合物纳米阵列高度可控,又能够快速成型、适用性广、成本较低且大面积的制备垂直纳米线阵列的方法。
申请公布号 CN106115617A 申请公布日期 2016.11.16
申请号 CN201610487730.8 申请日期 2016.06.28
申请人 北京随能科技有限公司 发明人 袁立嘉
分类号 B82B3/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 B82B3/00(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 彭鲲鹏
主权项 一种聚合物纳米柱阵列的无模板制备方法,所述方法包括:提供一种聚合物,所述聚合物具有相应的表面;在所述聚合物的所述表面上沉积未形成连续膜状态的金属层,通过所述沉积来形成所述聚合物的被所述金属层覆盖的暂时保护区,以及未被所述金属层覆盖的暴露区;对沉积有所述金属层的聚合物的表面进行蚀刻,使得未被所述金属层覆盖的暴露区被蚀刻,而被所述金属层覆盖的所述暂时保护区未被蚀刻,或者使得被所述金属层覆盖的所述暂时保护区的蚀刻速率更慢,由此形成聚合物的纳米柱阵列。
地址 100022 北京市朝阳区西大望路甲12号2号楼