发明名称 |
一种聚合物纳米柱阵列的无模板制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种聚合物纳米柱阵列的无模板制备方法,根据本发明的方法,提供一种聚合物,所述聚合物具有相应的表面;在所述聚合物的所述表面上沉积未形成连续膜状态的金属层,通过所述沉积形成所述聚合物的被所述金属层覆盖的暂时保护区,以及未被所述金属层覆盖的暴露区;对沉积有所述金属层的聚合物的表面进行蚀刻,使得未被所述金属层覆盖的暴露区被蚀刻,而被所述金属层覆盖的所述暂时保护区未被蚀刻,由此形成聚合物的纳米柱阵列。本发明的实现了一种聚合物纳米阵列高度可控,又能够快速成型、适用性广、成本较低且大面积的制备垂直纳米线阵列的方法。 |
申请公布号 |
CN106115617A |
申请公布日期 |
2016.11.16 |
申请号 |
CN201610487730.8 |
申请日期 |
2016.06.28 |
申请人 |
北京随能科技有限公司 |
发明人 |
袁立嘉 |
分类号 |
B82B3/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
B82B3/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
彭鲲鹏 |
主权项 |
一种聚合物纳米柱阵列的无模板制备方法,所述方法包括:提供一种聚合物,所述聚合物具有相应的表面;在所述聚合物的所述表面上沉积未形成连续膜状态的金属层,通过所述沉积来形成所述聚合物的被所述金属层覆盖的暂时保护区,以及未被所述金属层覆盖的暴露区;对沉积有所述金属层的聚合物的表面进行蚀刻,使得未被所述金属层覆盖的暴露区被蚀刻,而被所述金属层覆盖的所述暂时保护区未被蚀刻,或者使得被所述金属层覆盖的所述暂时保护区的蚀刻速率更慢,由此形成聚合物的纳米柱阵列。 |
地址 |
100022 北京市朝阳区西大望路甲12号2号楼 |