一种基于偶极层的高压AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种基于偶极层的高压AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层、AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上设有源极、钝化层1、有机绝缘层PTFE、钝化层2和漏极，所述有机绝缘层PTFE和漏极间设有钝化层2，所述有机绝缘层PTFE上设有ITO栅电极，所述ITO栅电极与所述源极间设有钝化层1，所述ITO栅电极向源极方向延伸填充钝化层1与有机绝缘层PTFE间的区域。本发明采用PTFE和ITO产生偶极子层减小了栅漏局部区域的2DEG，提高了击穿电压；并利用ITO栅场板，再次提高了器件的击穿电压。

主权项

一种基于偶极层的高压AlGaN/GaN MISHEMT器件结构，其特征在于，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层、AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上设有源极、钝化层1、有机绝缘层PTFE、钝化层2和漏极，所述有机绝缘层PTFE和漏极之间设有钝化层2，所述有机绝缘层PTFE上设有ITO栅电极，所述ITO栅电极与所述源极之间设有钝化层1，所述ITO栅电极向源极方向延伸填充钝化层1与有机绝缘层PTFE间的区域。