发明名称 |
基于金属诱导刻蚀红外增强Si‑PIN探测器及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种基于金属诱导刻蚀红外增强Si‑PIN探测器及其制备方法,探测器包括硅本征衬底、金属诱导刻蚀纳米结构层、红外增强非晶硅钌合金薄膜、下电极、P型区、环形P<sup>+</sup>型区、上电极,金属诱导刻蚀纳米结构层为纳米尖锥阵列,本发明将透射过空间电荷区的未吸收光进行多次反射,增加光的传播路程和光子捕获比,增加光的吸收和利用,更多的激发光生载流子,提高探测器的响应度,通过控制钌含量获得较窄的光学带隙,使硅材料的禁带宽度变窄,从而捕获能量更低、波长更长的近红外光,因此可以额外增加对近红外的吸收,扩展光电探测器的探测光谱范围。 |
申请公布号 |
CN106129168A |
申请公布日期 |
2016.11.16 |
申请号 |
CN201610729858.0 |
申请日期 |
2016.08.26 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
李伟;宋钦剑;郭国辉;钟豪;苟*豪;蒋亚东 |
分类号 |
H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/105(2006.01)I |
代理机构 |
成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 |
代理人 |
敖欢;葛启函 |
主权项 |
一种基于金属诱导刻蚀红外增强Si‑PIN探测器,其特征在于:包括硅本征衬底、位于硅本征衬底下方的金属诱导刻蚀纳米结构层、位于金属诱导刻蚀纳米结构层下方的红外增强非晶硅钌合金薄膜、位于红外增强非晶硅钌合金薄膜下方的下电极、位于硅本征衬底上方中间区域的P型区、位于硅本征衬底上方P型区四周的环形P<sup>+</sup>型区、位于P型区上表面的上电极,所述金属诱导刻蚀纳米结构层为纳米尖锥阵列,探测器光敏面为P型区的上表面。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |