| 发明名称 | 一种用于光生阴极保护的NiSe<sub>2</sub>/TiO<sub>2</sub>复合纳米管阵列膜及其制备和应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种复合纳米管光阳极，尤其是涉及一种用于光生阴极保护的NiSe<sub>2</sub>/TiO<sub>2</sub>复合纳米管阵列膜及其制备和应用。复合纳米管阵列膜的平均管径为60‑70纳米，管厚为1.7‑2微米；其中，NiSe<sub>2</sub>颗粒通过循环伏安电沉积的方法被修饰在TiO<sub>2</sub>基体纳米管管口周围。本发明材料与304不锈钢藕连可明显降低其腐蚀电位，具有实验操作简单易行，产品安全可靠、光电转换效率高、性能稳定的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN106119858A | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201610709737.X | 申请日期 | 2016.08.23 |
| 申请人 | 中国科学院海洋研究所 | 发明人 | 王秀通;韦秦怡;张巧霞;李红;李鑫冉;侯保荣 |
| 分类号 | C23F13/08(2006.01)I;C25D9/04(2006.01)I;C25D11/26(2006.01)I | 主分类号 | C23F13/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人 | 李颖;周秀梅 |
| 主权项 | 一种用于光生阴极保护的NiSe<sub>2</sub>/TiO<sub>2</sub>复合纳米管阵列膜，其特征在于：复合纳米管阵列膜的平均管径为60‑70纳米，管厚为1.7‑2微米；其中，NiSe<sub>2</sub>颗粒通过循环伏安电沉积的方法被修饰在TiO<sub>2</sub>基体纳米管管口周围。 | ||
| 地址 | 266071 山东省青岛市南海路7号 | ||