发明名称 |
半导体结构、半导体组件及功率半导体器件 |
摘要 |
本发明提供一种半导体结构、半导体组件及功率半导体器件,半导体结构包括:P型半导体材料层;N型半导体材料层,与所述P型半导体材料层相邻接,与所述P型半导体材料层共同形成PN结;多层绝缘材料层,位于所述PN结的外侧,且沿所述P型半导体材料层与所述N型半导体材料层叠置的方向分布,相邻所述绝缘材料层的相对介电常数不同。本发明的半导体结构显著优化了器件耐压时的电场分布,大幅提高了器件的击穿电压;避免了结边缘电场集中效应而导致的器件耐压下降,防止了器件提前击穿;本发明避免使用场环和金属场板结构,从而减小了芯片面积,降低了器件的成本,提高了器件的可靠性。 |
申请公布号 |
CN106129107A |
申请公布日期 |
2016.11.16 |
申请号 |
CN201610522196.X |
申请日期 |
2016.07.01 |
申请人 |
电子科技大学;重庆平伟实业股份有限公司 |
发明人 |
杜江锋;李振超;刘东;白智元;于奇;李述洲 |
分类号 |
H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/06(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
余明伟 |
主权项 |
一种半导体结构,其特征在于,所述半导体结构包括:P型半导体材料层;N型半导体材料层,与所述P型半导体材料层相邻接,与所述P型半导体材料层共同形成PN结;多层绝缘材料层,位于所述PN结的外侧,且沿所述P型半导体材料层与所述N型半导体材料层叠置的方向分布,相邻所述绝缘材料层的相对介电常数不同。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |