发明名称 磁传感器及磁传感器的制造方法以及电流传感器
摘要 本发明提供的磁传感器(1),具备固定磁性层(21)与自由磁性层(23)隔着非磁性材料层(22)而层叠的磁阻效应元件,在上述自由磁性层的与上述非磁性材料层对置一侧的相反侧设置反铁磁性层(24),该反铁磁性层在其与上述自由磁性层之间产生交换耦合偏置而能够使上述自由磁性层的磁化方向以磁化能够变动的状态对齐为规定方向,在上述反铁磁性层的与上述自由磁性层对置一侧的相反侧设置铁磁性层(25),该铁磁性层在其与上述反铁磁性层之间产生交换耦合偏置而能够使该铁磁性层的磁化方向以磁化能够变动的状态对齐为规定方向,基于上述自由磁性层中产生的交换耦合偏置的磁化方向,是与基于上述铁磁性层中产生的交换耦合偏置的磁化方向相同的方向,上述铁磁性层能够对上述自由磁性层赋予具有沿着上述灵敏度轴(D2)的方向的成分的闭合磁场。
申请公布号 CN106133934A 申请公布日期 2016.11.16
申请号 CN201580014136.0 申请日期 2015.03.11
申请人 阿尔卑斯电气株式会社 发明人 井出洋介;斋藤正路
分类号 H01L43/08(2006.01)I;G01R15/20(2006.01)I;G01R33/09(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I 主分类号 H01L43/08(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 胡建新
主权项 一种磁传感器,具备在特定的方向上具有灵敏度轴的磁阻效应元件,该磁传感器的特征在于,上述磁阻效应元件具备固定磁性层与自由磁性层隔着非磁性材料层而层叠的层叠构造,在上述自由磁性层的与上述非磁性材料层对置一侧的相反侧,设置反铁磁性层,该反铁磁性层在其与上述自由磁性层之间产生交换耦合偏置而能够使上述自由磁性层的磁化方向以磁化能够变动的状态对齐为规定方向,在上述反铁磁性层的与上述自由磁性层对置一侧的相反侧,设置铁磁性层,该铁磁性层在其与上述反铁磁性层之间产生交换耦合偏置而能够使该铁磁性层的磁化方向以磁化能够变动的状态对齐为规定方向,基于上述自由磁性层中产生的交换耦合偏置的磁化方向,是与基于上述铁磁性层中产生的交换耦合偏置的磁化方向相同的朝向,上述铁磁性层能够对上述自由磁性层赋予具有沿着上述灵敏度轴的方向的成分的闭合磁场。
地址 日本东京都