| 发明名称 | 一种U型蚀刻直角台面硅二极管及其硅芯和硅扩散晶圆片 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种U型蚀刻直角台面硅二极管硅芯，由下到上分别为P+型杂质扩散层、原始硅单晶N‑型层和N+型杂质扩散层，硅芯侧面的台面呈直角，所述的直角台面为完整光滑的平面。该直角台面是由各向异性择优化学腐蚀获得。同时，本实用新型还公开了一种制备所述硅芯的硅扩散晶圆片及该硅芯制备的二极管。本实用新型的直角台面硅二极管硅芯优点是低成本，易于实现规模生产，产品性价比较高，产生显著经济效益。 | ||
| 申请公布号 | CN205692839U | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201620601264.7 | 申请日期 | 2016.06.16 |
| 申请人 | 杭州赛晶电子有限公司 | 发明人 | 陈福元;胡煜涛;毛建军;任亮;苏云清;虞旭俊 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 张法高;傅朝栋 |
| 主权项 | 一种U型蚀刻直角台面硅二极管硅芯，其特征在于由下到上分别为P+型杂质扩散层、原始硅单晶N‑型层和N+型杂质扩散层，硅芯侧面的台面呈直角，所述的直角台面为完整光滑的平面。 | ||
| 地址 | 310000 浙江省杭州市萧山区靖江街道和顺村黎明社区 | ||