| 发明名称 | 一种掺氟氧化亚铜薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种掺氟氧化亚铜薄膜及其制备方法，其中，所述方法包括步骤：A、将铜靶安装在磁控溅射设备的靶位上，通入高纯氧气和高纯氩气进行反应性共溅射，生成氧化亚铜薄膜；B、将所述氧化亚铜薄膜放入管式炉中，采用热扩散方法将CuF<sub>2</sub>粉末掺杂到所述氧化亚铜薄膜中，从而生成掺氟氧化亚铜薄膜。本发明制备掺氟氧化亚铜薄膜的方法，其可控性强、工艺简单、制作成本低，并且生成的薄膜具有很好的附着性和重复性，可满足大规模生产需要；并且本发明制备的掺氟氧化亚铜薄膜具有载流子迁移率高、电阻率低等特点，可有效提高掺氟氧化亚铜薄膜制成的太阳能电池光电转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN106129174A | 申请公布日期 | 2016.11.16 |
| 申请号 | CN201610531429.2 | 申请日期 | 2016.07.07 |
| 申请人 | 深圳大学 | 发明人 | 叶凡;蔡兴民;苏小强;范平;张东平 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人 | 王永文;刘文求 |
| 主权项 | 一种掺氟氧化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、将铜靶安装在磁控溅射设备的靶位上，通入高纯氧气和高纯氩气进行反应性共溅射，生成氧化亚铜薄膜；B、将所述氧化亚铜薄膜放入管式炉中，采用热扩散方法将CuF<sub>2</sub>粉末掺杂到所述氧化亚铜薄膜中，从而生成掺氟氧化亚铜薄膜。 | ||
| 地址 | 518060 广东省深圳市南山区南海大道3688号 | ||